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依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨香;  韩伟华;  王颖;  张杨;  杨富华
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基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  韩伟华;  熊莹;  赵凯;  杨香;  张严波;  王颖;  杨富华
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基于锥形衬底的相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  付英春;  马刘红;  杨富华;  王晓峰;  周亚玲;  杨香;  王晓东
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