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| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华
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| 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华
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| 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17
发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华
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| 环形垂直结构相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华
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| 通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华
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| 与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 季安; 杨富华
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| 通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华
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| 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17
发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华
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| 基于埋层的垂直结构存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华
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| 一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人: 付英春; 王晓峰; 季安; 杨富华
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