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| 深紫外激光光致发光光谱仪 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102213617A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 金鹏; 王占国
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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲 ; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
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| 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋; 尹志岗; 吴金良; 张汉
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| 一种增强有机聚合物太阳能电池效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394272A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张兴旺; 高红丽; 谭海仁; 尹志岗; 吴金良
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| 光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236703.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 安琪; 金鹏; 王占国
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| InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010591575.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孔金霞; 徐波; 王占国
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| 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德
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| 一种提高光栅外腔激光器光学质量的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236704.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 吕雪芹; 金鹏; 王占国
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| 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇; 张汉
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| 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136534A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 梁德春; 李新坤; 金鹏; 王占国
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