×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [8]
作者
王超 [1]
文献类型
专利 [8]
发表日期
语种
中文 [1]
出处
资助项目
收录类别
资助机构
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
限定条件
文献类型:专利
专题:中科院半导体材料科学重点实验室
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
一种改进非晶硅太阳电池性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010117751.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
刘石勇
;
曾湘波
;
彭文博
;
肖海波
;
姚文杰
;
谢小兵
;
王超
;
王占国
Adobe PDF(1885Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1485/147
  |  
提交时间:2011/08/31
掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
吴艳华
;
王飞飞
;
胡发杰
;
金鹏
;
王占国
Adobe PDF(1762Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:645/3
  |  
提交时间:2016/09/12
制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:
张恒
;
魏鸿源
;
杨少延
;
赵桂娟
;
金东东
;
王建霞
;
李辉杰
;
刘祥林
;
王占国
Adobe PDF(582Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:928/103
  |  
提交时间:2014/12/25
半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
项若飞
;
汪连山
;
赵桂娟
;
金东东
;
王建霞
;
李辉杰
;
张恒
;
冯玉霞
;
焦春美
;
魏鸿源
;
杨少延
;
王占国
Adobe PDF(1070Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:708/1
  |  
提交时间:2016/09/12
大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:
李辉杰
;
杨少延
;
魏鸿源
;
赵桂娟
;
汪连山
;
李成明
;
刘祥林
;
王占国
Adobe PDF(710Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:613/2
  |  
提交时间:2016/09/29
AlN单晶衬底生产设备及其使用方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
李辉杰
;
杨少延
;
魏鸿源
;
赵桂娟
;
汪连山
;
李成明
;
刘祥林
;
王占国
Adobe PDF(600Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:544/5
  |  
提交时间:2016/09/22
一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
孔苏苏
;
李辉杰
;
冯玉霞
;
赵桂娟
;
魏鸿源
;
杨少延
;
王占国
Adobe PDF(1285Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:556/3
  |  
提交时间:2016/08/30
曲率渐变的弯曲波导量子点超辐射发光管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
王飞飞
;
吴艳华
;
胡发杰
;
金鹏
;
王占国
Adobe PDF(542Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:467/2
  |  
提交时间:2016/08/30