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| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉 Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:719/101  |  提交时间:2014/11/05 |
| InGaN太阳能电池及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19 发明人: 李亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 吴亮亮; 乐伶聪; 杨辉 Adobe PDF(439Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:768/87  |  提交时间:2014/10/31 |
| 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01 发明人: 吴亮亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 李亮; 乐伶聪; 杨辉 Adobe PDF(477Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:672/104  |  提交时间:2014/11/24 |
| 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25 发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉 Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:716/88  |  提交时间:2014/11/24 |
| 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30 发明人: 乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉 Adobe PDF(563Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:826/93  |  提交时间:2014/12/25 |
| 氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 朱建军; 江德生; 杨辉 Adobe PDF(818Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:507/0  |  提交时间:2016/09/28 |
| 具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 陈平; 赵德刚; 朱建军; 刘宗顺; 江德生; 杨辉 Adobe PDF(665Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:544/2  |  提交时间:2016/09/28 |
| 小型化、集成化的硅基场发射-接收器件 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 陈平; 赵德刚; 朱建军; 刘宗顺; 江德生; 杨辉 Adobe PDF(601Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:261/0  |  提交时间:2016/09/28 |
| 可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 陈平; 赵德刚; 朱建军; 刘宗顺; 江德生; 杨辉 Adobe PDF(379Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:403/4  |  提交时间:2016/09/28 |
| 阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 陈平; 赵德刚; 朱建军; 刘宗顺; 江德生; 杨辉 Adobe PDF(356Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:377/0  |  提交时间:2016/09/28 |