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砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
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一种制备半导体衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨沁清;  李成;  欧海燕;  王红杰;  王启明
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一种细菌内毒素测定仪 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1996-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闻瑞梅;  解光亮;  陈朗星;  夏振民;  黄清泉;  王思理
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