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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 熊莹; 张仁平; 杨富华
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| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美 ; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu Y (Xu Ying); Diao HW (Diao Hong-Wei); Zhang SB (Zhang Shi-Bin); Li XD (Li Xu-Dong); Zeng XB (Zeng Xiang-Bo); Wang WJ (Wang Wen-Jing); Liao XB (Liao Xian-Bo); Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许颖; 刁宏伟; 张世斌; 励旭东; 曾湘波; 王文静; 廖显伯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张冠杰; 徐波; 陈涌海; 姚江宏; 林耀望; 舒永春; 皮彪; 邢晓东; 刘如彬; 舒强; 王占国; 许京军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 易万兵; 陈猛; 张恩霞; 刘相华; 陈静; 董业民; 金波; 刘忠立; 王曦
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱东海; 梁基本; 徐波; 朱战萍; 张隽; 龚谦; 李胜英; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱东海; 王占国; 梁基本; 徐波; 朱战萍; 张隽; 龚谦; 金才政; 丛立方; 胡雄伟; 韩勤; 方祖捷; 刘斌; 屠玉珍
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| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华
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| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华
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