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作者:  Peng YS (Peng Yin-Sheng);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Xu B (Xu Bo);  Niu JB (Niu Jie-Bin);  Jia R (Jia Rui);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Liang S (Liang Song);  Yang XH (Yang Xiao-Hong);  Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  宋华平;  杨安丽;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  汪洋;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010564545.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘扬;  赵玲娟;  朱洪亮;  潘教青;  王圩
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一种制备高速电吸收调制器的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225782.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张伟;  潘教青;  汪洋;  朱洪亮
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在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  桑玲;  王俊;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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