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一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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低温晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人:  彭红玲;  陈良惠;  郑婉华;  石 岩;  渠红伟;  杨国华;  何国荣
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一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
Adobe PDF(2122Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1879/262  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Yang T (Yang Tao);  Xu PF (Xu Peng-Fei);  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Gu YX (Gu Yong-Xian);  Wang XD (Wang Xiao-Dong);  Wang Q (Wang Qing);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YJ (Zhang Yejin);  Zheng WH (Zheng Wanhua);  Aiyi Q (Aiyi Qi);  Qu HW (Qu Hongwei);  Peng HL (Peng Hongling);  Xie SZ (Xie Shizhong);  Chen LH (Chen Lianghui);  Zhang, YJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. yjzhang@semi.ac.cn;  whzheng@semi.ac.cn;  qiaiyi@semi.ac.cn;  quhw@semi.ac.cn;  hlpeng@semi.ac.cn;  xsz-dee@tsinghua.edu.cn;  chenlh@semi.ac.cn
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High brightness InAs/GaAs quantum dot tapered laser at 1.3 mu m with high temperature stability 会议论文
Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering vol.7844: Art. No. 784404 2010, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-19, 2010
作者:  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Xu PF (Xu Peng-fei);  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Yang T (Yang Tao);  Chen LH (Chen Liang-Hui)
Adobe PDF(374Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2374/561  |  提交时间：2011/07/14