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以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  任芸芸;  徐波;  周惠英;  刘明;  李志刚;  王占国
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WJ;  Chen W;  Liu AJ;  Xing MX;  Ren G;  Zhang YJ;  Chen LH;  Zheng WH;  Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Qinghua E Rd 35A, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(930Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：997/293  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng WH;  Ren G;  Xing MX;  Chen W;  Liu AJ;  Zhou WJ;  Baba T;  Nozaki K;  Chen LH;  Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun CH;  Wang NX;  Zhou SY;  Hu XJ;  Chen P;  Zhou, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: chenlab@mail.ipc.ac.cn;  zhou_shuyun@mail.ipc.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou ZW;  Li C;  Lai HK;  Chen SY;  Yu JZ;  Li, C, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: lich@xmu.edu.cn;  jzyu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou M;  Chang QY;  Zhao DG;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.en
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Pan JQ;  Zhao LJ;  Wang LF;  Zhou F;  Shu HY;  Bian J;  An X;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
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