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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [8]
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徐波 [2]
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发表日期
2008 [8]
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发表日期:2008
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
;
董向芸
;
张晓沛
;
范海波
;
魏宏源
;
张攀峰
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵超
;
徐波
;
陈涌海
;
金鹏
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yu, LK
;
Xu, B
;
Wang, ZG
;
Jin, P
;
Zhao, C
;
Lei, W
;
Sun, J
;
Hu, LJ
;
Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yulike@rcd.semi.ac.cn
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浏览/下载:1179/260
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Zhao, C
;
Chen, YH
;
Xu, B
;
Tang, CG
;
Wang, ZG
;
Ding, F
;
Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Wu, JJ
;
Zhao, LB
;
Zhang, GY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Jia, QJ
;
Guo, LP
;
Hu, TD
;
Wu, JJ, Peking Univ, Sch Phys, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P, Res Ctr Wide Gap Semicond, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1249/358
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin, ZJ
;
Zhao, JZ
;
Corrigan, TD
;
Wang, Z
;
You, ZD
;
Wang, ZG
;
Lu, W
;
Lin, ZJ, Shandong Univ, Sch Phys & Microelect, Jinan 250100, Peoples R China. 电子邮箱地址: linzj@sdu.edu.cn
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浏览/下载:1016/333
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
周立
;
陈涌海
;
王占国
;
赵有文
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浏览/下载:1038/339
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
赵暕
;
陈涌海
;
王占国
;
徐波
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提交时间:2010/11/23