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| 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽
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| 生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 肖红领; 胡国新; 杨翠柏; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军
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| 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 王新华; 冯春; 王保柱; 马志勇; 王军喜; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅
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| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军
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| Low threading-dislocation-density Ge film on Si grown on a pitting Ge buffer layer 会议论文
2008 5TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Sorrento, ITALY, SEP 17-19, 2008
作者: Cheng BW; Xue HY; Hu D; Han GQ; Zeng YG; Bai AQ; Xue CL ; Luo LP; Zuo YH; Wang QM; Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Sige/si(100) Epitaxial-films |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JG; Yeo YK; Wang YX; Xue LF; Wang DW; Rong WF; Zhou LY; Xiao GX; Yu XJ; Cheng TH; Liu JG Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore Singapore. E-mail Address: jgliu@ntu.edu.sg; ykyeo@ieee.org; Wangyx@i2r.a-star.edu.sg; lfxue@semi.ac.cn; Wang0365@ntu.edu.sg; wfrong@i2r.a-star.edu.sg; Lzhou@i2r.a-star.edu.sg; Egxxiao@ntu.edu.sg; Ethcheng@ntu.edu.sg
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周蓉; 孙宝权; 阮学忠; 甘华东; 姬扬; 王玮竹; 赵建华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 冯春; 王晓亮; 王新华; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 冉军学; 王军喜
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