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单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
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生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  胡国新;  杨翠柏;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
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砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
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半导体激光器热沉管道 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  王大拯;  王翠鸾;  仲莉;  韩淋;  崇峰;  史慧玲;  王冠;  胡理科;  刘素平;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Yang, CB;  Ran, JX;  Wang, CM;  Hou, QF;  Li, JM;  Wang, ZG;  Zhang, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xbzhang@semi.ac.cn
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Design and Realization of Index-Coupled DFB Laser with Sampled Grating 会议论文
2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), Singapore, SINGAPORE, DEC 08-11, 2008
作者:  Wang H;  Zhu HL;  Chen XF;  Li JS;  Wang LS;  Zhang W;  Wang W;  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Tuning Range  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, CB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Zhang, XB;  Hua, GX;  Ran, JX;  Wang, CM;  Li, JP;  Li, JM;  Wang, ZG;  Yang, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Jia 35,Qinghua Dong Rd,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, WJ;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Ran, JX;  Guo, LC;  Li, JP;  Liu, HX;  Chen, YL;  Yang, FH;  Li, JM;  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuntianbb@hotmail.com
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AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Tang J;  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Ran JX;  Zhang ML;  Hu GX;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Li JM;  Wang ZG;  Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Algan/gan Hemts  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H;  Zhu HL;  Jia LH;  Chen XF;  Li JS;  Wang W;  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whuan21@semi.ac.cn
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