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多功能半导体晶片键合装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨国华;  何国荣;  石岩;  宋国峰;  郑婉华;  陈良惠
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用于键合的清洗和干燥装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  何国荣;  石岩;  杨国华;  郑婉华;  陈良惠
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变温显微磁光光谱系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谭平恒;  郑厚植;  李桂荣;  章昊;  姬杨;  甘华东;  朱汇
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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨国华;  何国荣;  宋国锋;  石岩;  郑婉华;  陈良惠
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光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李桂荣;  郑厚植;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun JY (Sun Jiayin);  Chen J (Chen Jing);  Wang X (Wang Xi);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Liu W (Liu Wei);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Yang H (Yang Hui);  Sun, JY, No 865,Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiayinsun@mail.sim.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LG;  Yang W;  Chang K;  Chan KS;  Wang, LG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, NLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Q (Chen Qin);  Yang YD (Yang Yue-De);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Chen, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chenqin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang J;  Fu Q;  Liu J;  Wang Y;  Liu, J, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. 电子邮箱地址: jieliu@sdnu.edu.cn
Adobe PDF(123Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:908/335  |  提交时间:2010/03/29