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| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓欣; 张建国; 王启明
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| 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liu Z (Liu Zhe); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Wang JX (Wang Jun-Xi); Hu GX (Hu Guo-Xin); Guo LC (Guo Lun-Chun); Li JM (Li Jin-Min); Liu, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuzhe@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Ma ZY (Ma Zhi-Yong); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Hu GX (Hu Guo-Xin); Ran JX (Ran Jun-Xue); Xiao HL (Xiao Hong-Ling); Luo WJ (Luo Wei-Jun); Tang J (Tang Jian); Li JP (Li Jian-Ping); Li JM (Li Jin-Min); Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张心强; 张维佳; 武美伶; 贾士亮; 刘浩; 李国华
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王青 ; 曹玉莲 ; 何国荣; 韦欣 ; 渠红伟 ; 宋国峰; 马文全 ; 陈良惠![](/image/person.jpg)
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