中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1248/193  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JT (Liu Jiang-Tao);  Chang K (Chang Kai);  Liu, JT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(225Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：852/359  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵凯;  刘忠立;  于芳;  高见头;  肖志强;  洪根深
Adobe PDF(790Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1191/397  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  李庚伟;  吴正龙;  邵素珍;  刘志凯
Adobe PDF(470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1008/360  |  提交时间：2010/11/23