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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li GH;  Su FH;  Wang WJ;  Ding K;  Chen W;  Liu YF;  Joly AG;  Li, GH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ghli@red.semi.ac.cn;  weichen@uta.edu
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Kinetic Monte Carlo simulation of semiconductor quantum dot growth 会议论文
Nanoscience and Technology丛书标题: SOLID STATE PHENOMENA, Beijing, PEOPLES R CHINA, JUN 09-11, 2005
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Sun J;  Lei W;  Cui CX;  Yu LK;  Li K;  Wang ZG;  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Monte Carlo Simulation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo WJ (Luo Weijun);  Wei K (Wei Ke);  Chen XJ (Chen Xiaojuan);  Li CZ (Li Chengzhan);  Liu XY (Liu Xinyu);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luoweijun@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang YQ;  Shen B;  He XW;  Han K;  Tang N;  Chen WH;  Yang ZJ;  Zhang GY;  Chen YH;  Tang CG;  Wang ZG;  Cho KS;  Chen YF;  Tang, YQ, Peking Univ, Sch Phys, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: bshen@pku.edu.cn;  yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郑婉华;  任刚;  邢名欣;  杜晓宇;  王科;  张冶金;  陈良惠
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