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1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  封松林;  杨富华;  王晓东;  汪辉;  李树英;  苗振华;  李树深
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电吸收调制器的光纤对准耦合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙洋;  陈娓兮;  王圩
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磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  杨君玲;  何宏家;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英
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Optical study of electronic states in GaAsN 会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:  Luo XD;  Yang CL;  Huang JS;  Xu ZY;  Liu J;  Ge WK;  Zhang Y;  Mascarenhas A;  Xin HP;  Tu CW;  Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond NLSM Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Temperature Photoluminescence  Quantum-well  Alloys  Relaxation  Gaas1-xnx  
Stress analysis of silica-based arrayed waveguide grating by a finite element method 会议论文
MATERIALS, DEVICES, AND SYSTEMS FOR DISPLAY AND LIGHTING, 4918, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 14-18, 2002
作者:  Deng XQ;  Yang QQ;  Wang HJ;  Hu XW;  Wang QM;  Deng XQ Chinese Acad Sci Inst Semicond R&D Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Finite Element Method  Stress  Silica Optical Waveguide On silicOn  Birefringence  Optical Wave-guides  Difference Method  
Analysis for the angle dependence of GaAs based RCE photodetectors 会议论文
APOC 2002: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS AND DEVICES FOR OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS, 4905, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 15-18, 2002
作者:  Liang K;  Yang XH;  Du Y;  Wu RH;  Liang K Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Galnnas  Resonant Cavity Enhanced Photodetectors  Angle-selected Tuning  
Simulation and fabrication of thermo-optic variable optical attenuators based on multimode interference coupler 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Yang L;  Liu YL;  Li F;  Cheng Y;  Qiu HJ;  Wang QM;  Yang L Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Wave-guides  
Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:  Xie MH;  Cheung SH;  Zheng LX;  Tong SY;  Zhang BS;  Yang H;  Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  
磁性半导体材料的制备和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:  杨君玲
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An L;  Tang Y;  Zheng HZ;  Zhang JD;  Tan PH;  Yang FH;  Ji Y;  Chen YZ;  Zheng HZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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