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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [5]
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会议论文 [5]
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2008 [3]
2006 [1]
1999 [1]
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英语 [5]
出处
2006 1st I... [1]
2008 11TH ... [1]
2008 2ND I... [1]
EDSSC: 200... [1]
IEEE TRANS... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [5]
资助机构
IEEE. [5]
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SEMI OpenIR
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资助机构:IEEE.
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A VSLMS Style Tap-length Learning Algorithm for Structure Adaptation
会议论文
2008 11TH IEEE SINGAPORE INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMMUNICATION SYSTEMS (ICCS), Guangzhou, PEOPLES R CHINA, NOV 19-21, 2008
作者:
Yu, HM
;
Liu, ZL
;
Li, GS
;
Yu, HM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Adaptive Filter
Equalizer
Structure Adaptive
Fractional Tap-length
Polarization-Independent Micro-Ring Resonator on Silicon-on-Insulator
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Geng, MM
;
Jia, LX
;
Zhang, L
;
Yang, L
;
Liu, YL
;
Li, F
;
Geng, MM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Syst Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Wave-guides
Devices
Design
An Embedded Ultra Low Power Nonvolatile Memory in a Standard CMOS Logic Process
会议论文
EDSSC: 2008 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, DEC 08-10, 2008
作者:
Li, YL (Li, Y-L.)
;
Feng, P (Feng, P.)
;
Wu, NJ (Wu, N-J.)
;
Li, YL, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Voltage
Synthesis of GaN nanorods with vertebra-like morphology
会议论文
2006 1st IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems, Zhuhai, PEOPLES R CHINA, JAN 18-21, 2006
作者:
Gao, HY (Gao, Haiyong)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Dept, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Gan Nanorods
Ga2o3/zno Films
Nitritding
Morphology
Chemical-vapor-deposition
Films
Improved neutron radiation hardness for Si detectors: Application of low resistivity starting material and or manipulation of N-eff by selective filling of radiation-induced traps at low temperatures
会议论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 46 (3), TORONTO, CANADA, NOV 08-14, 1998
作者:
Dezillie B
;
Li Z
;
Eremin V
;
Bruzzi M
;
Pirollo S
;
Pandey SU
;
Li CJ
;
Dezillie B Brookhaven Natl Lab Upton NY 11973 USA.
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提交时间:2010/11/15
Silicon Detectors