|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 王科范; 杨晓光 ; 杨涛; 王占国
 Adobe PDF(257Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1412/248 | 提交时间：2012/09/09 |
| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
Adobe PDF(377Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1601/255 | 提交时间：2011/08/31 |
| 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176490A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 杨晓光; 杨涛
Adobe PDF(313Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1226/211 | 提交时间：2012/09/09 |
| InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010591575.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孔金霞; 徐波; 王占国
Adobe PDF(425Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1283/267 | 提交时间：2011/08/31 |
| 不同粒径银纳米颗粒修饰二氧化钛纳米管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010256808.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 谭付瑞; 曲胜春; 王占国
Adobe PDF(442Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1523/271 | 提交时间：2011/08/31 |
| 一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081986.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 彭银生; 徐波; 叶小玲; 王占国
Adobe PDF(532Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1452/195 | 提交时间：2011/08/31 |
| 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081987.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘王来; 叶小玲; 徐波; 王占国
Adobe PDF(440Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1402/206 | 提交时间：2011/08/31 |
| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国
Adobe PDF(249Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1430/267 | 提交时间：2011/08/31 |
| 宽光谱自组织量子点材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240354.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 梁松; 朱洪亮; 王圩
Adobe PDF(301Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1233/205 | 提交时间：2011/08/31 |
| 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136534A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 梁德春; 李新坤; 金鹏; 王占国
Adobe PDF(1964Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1459/193 | 提交时间：2012/09/09 |
