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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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High-efficiency GaN-based blue LEDs grown on nano-patterned sapphire substrates for solid-state lighting - art. no. 684103
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Yan, FW
;
Gao, HY
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gan
Mocvd
Led
Nano-pattern
Sem
Hrxrd
Pl
The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Ran, JX
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Ran, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Aln
Impurities
Donor
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
会议论文
MICRON, 35 (6), Wuhan, PEOPLES R CHINA, OCT 17-21, 2003
作者:
Luo XH
;
Wang RM
;
Zhang XP
;
Zhang HZ
;
Yu DP
;
Luo MC
;
Wang RM Peking Univ Electron Microscopy Lab Beijing 100871 Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
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提交时间:2010/10/29
Transmission Electron Microscopy
Electron Energy Loss Spectroscopy
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Nitride
Chemical-vapor-deposition
Epitaxy
Layer
Polymorphous silicon nanowires synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zeng XB
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Hu ZH
;
Xu YY
;
Zhang SB
;
Chen CY
;
Chen WD
;
Kong GL
;
Zeng XB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Laser-ablation
Semiconductor Nanowires
Growth
Mechanism
Evaporation
Diameter
Wires
Strong red light emission from silicon nanocrystals embedded in SIO2 matrix
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Chen WD
;
Wang YQ
;
Chen CY
;
Diao HW
;
Liao XB
;
Kong GL
;
Hsu CC
;
Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Photoluminescence
Luminescence
Spectroscopy
Deposition
Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wu J
;
Zeng YP
;
Cui LJ
;
Zhu ZP
;
Wang BX
;
Wang ZG
;
Wu J Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Inp(001)
Epitaxy
Gaas
Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:
Xie MH
;
Cheung SH
;
Zheng LX
;
Tong SY
;
Zhang BS
;
Yang H
;
Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Molecular-beam Epitaxy
Epitaxial growth of SiC on complex substrates
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Sun GS
;
Li JM
;
Luo MC
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Zhang FF
;
Lin LY
;
Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Optical Microscopy
X-ray Diffraction
Molecular Beam Epitaxy
Semiconducting Silicon Compounds
Sapphire
Deposition
Films
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
;
Qu B Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelectron POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
X-ray Diffraction
Nitrides
Semiconducting Iii-v Materials
Phase
Films
Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Liu HY
;
Xu B
;
Ding D
;
Chen YH
;
Zhang JF
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Liu HY Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Low Dimensional Structures
Molecular Beam Epitaxy
Nanomaterials
Inas Islands
Gaas
Growth
Gaas(100)
Thickness
Density