SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共10条,第1-10条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
多功能半导体晶片键合装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨国华;  何国荣;  石岩;  宋国峰;  郑婉华;  陈良惠
Adobe PDF(727Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1473/205  |  提交时间:2009/06/11
用于键合的清洗和干燥装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  何国荣;  石岩;  杨国华;  郑婉华;  陈良惠
Adobe PDF(583Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1302/224  |  提交时间:2009/06/11
光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈海波;  李兆峰;  陈建军;  杨富华;  封松林;  郑厚植
Adobe PDF(606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1222/168  |  提交时间:2009/06/11
具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1231/171  |  提交时间:2009/06/11
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1283/176  |  提交时间:2009/06/11
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1233/193  |  提交时间:2009/06/11
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1090/158  |  提交时间:2009/06/11
砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1454/248  |  提交时间:2009/06/11
利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨国华;  何国荣;  宋国锋;  石岩;  郑婉华;  陈良惠
Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1318/170  |  提交时间:2009/06/11
步进时隙脉冲检测防冲突方法及其电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨志超;  周盛华;  吴南健;  李美云
Adobe PDF(543Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1067/150  |  提交时间:2009/06/11