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| 多功能半导体晶片键合装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨国华; 何国荣; 石岩; 宋国峰; 郑婉华; 陈良惠 Adobe PDF(727Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1555/205  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于键合的清洗和干燥装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 何国荣; 石岩; 杨国华; 郑婉华; 陈良惠 Adobe PDF(583Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1490/224  |  提交时间:2009/06/11 |
| 光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈海波; 李兆峰; 陈建军; 杨富华; 封松林; 郑厚植 Adobe PDF(606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1364/168  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1325/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1382/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1411/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1183/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉 Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1518/248  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨国华; 何国荣; 宋国锋; 石岩; 郑婉华; 陈良惠 Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1404/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 步进时隙脉冲检测防冲突方法及其电路 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨志超; 周盛华; 吴南健; 李美云 Adobe PDF(543Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1157/150  |  提交时间:2009/06/11 |