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| 环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999 发明人: 王 颖; 韩伟华 ; 杨 香; 张 杨; 杨富华
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| 一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-06, 公开日期: 3993 发明人: 陈志刚; 张 杨; 杨富华
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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张杨; 刘剑 ; 李艳 ; 杨富华
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| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Han Chunlin; Chen Chen; Zou Penghui; Zhang Yang ; Zeng Yiping; Xue Fangshi; Gao Jianfeng; Zhang Zheng; Geng Tao
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| 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张扬; 闫发旺; 高海永; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang, Y; Han, CL; Gao, JF; Zhu, ZP; Wang, BQ; Zeng, YP; Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_yang@semi.ac.cn
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| 电子束曝光技术在金属空气桥和硅纳米线器件制备中的应用研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008 作者: 张杨
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