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| 具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1237/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种光瞬态自动测试系统 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 蒋波; 卢励吾; 张砚华 Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1085/119  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1169/157  |  提交时间:2009/06/11 |
| 带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1225/187  |  提交时间:2009/06/11 |
| Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003 作者: Jiang DS; Bian LF; Liang XG; Chang K; Sun BQ; Johnson S; Zhang YH; Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1627/405  |  提交时间:2010/11/15 Molecular Beam Epitaxy Quantum Wells Gaassb/gaas Gaas Lasers Gain |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Jiang DS; Bian LF; Liang XG; Chang K; Sun BQ; Johnson S; Zhang YH; Jiang, DS, CAS, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:992/303  |  提交时间:2010/03/09 |
| 半导体材料电信号测试装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-07-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张砚华; 卢励吾; 葛惟昆 Adobe PDF(261Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1415/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zheng XH; Jiang DS; Johnson S; Zhang YH; Zheng XH,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China. Adobe PDF(62Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1359/467  |  提交时间:2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 卢励吾; 张砚华; 徐遵图; 徐仲英; 王占国; Wang J; Ge Weikun Adobe PDF(356Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:919/245  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 卢励吾; 张砚华; Wang J; Ge Weikun Adobe PDF(360Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:844/279  |  提交时间:2010/11/23 |