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| 硅基InGaAsInGaAsP多量子阱外延技术及硅基激光器的探索研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者: 杨文宇![](/image/person.jpg)
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 彭银生 ; 叶小玲 ; 徐波 ; 牛洁斌; 贾锐; 王占国; 梁松 ; 杨晓红![](/image/person.jpg)
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 黄添懋 ; 陈诺夫; 张兴旺 ; 白一鸣; 尹志岗 ; 施辉伟 ; 张汉 ; 汪宇 ; 王彦硕; 杨晓丽![](/image/person.jpg)
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 刘扬; 潘教青 ; 王宝军; 边静; 安欣; 赵玲娟
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| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 王科范; 杨晓光 ; 杨涛; 王占国
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| 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208756A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 汪明; 杨涛
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪洋 ; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平 ; 郭严; 魏鸿源 ; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010564545.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘扬; 赵玲娟; 朱洪亮; 潘教青 ; 王圩
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