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一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  王晓晖
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Hybrid CMOS/VCSEL optoelectronic modules 会议论文
SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 22-25, 2001
作者:  Chen HD;  Mao LH;  Tiang J;  Liang K;  Du Y;  Huang YZ;  Wu RG;  Feng J;  Ke XM;  Liu HY;  Wang ZG;  Li SR;  Li ZY;  Guo WL;  Chen HD Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Vcsel  Cmos  Mcm  Optoelectronic Integration  Smart Pixels  Optical Interconnects  Smart  
Strained MQW electro-absorption modulators with high extinction ratio and low capacitance 会议论文
2001 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, CONFERENCE PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 14-18, 2001
作者:  Sun Y;  Wang W;  Chen WX;  Liu GL;  Zhou F;  Zhu HL;  Sun Y Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Electroabsorption  
Structural evaluation of polycrystalline silicon thin films by hot-wire-assisted PECVD 会议论文
THIN SOLID FILMS, 395 (1-2), KANAZAWA, JAPAN, NOV 14-17, 2000
作者:  Feng Y;  Zhu M;  Liu F;  Liu J;  Han H;  Han Y;  Zhu M Chinese Acad Sci Grad Sch Dept Phys POB 3908 Beijing 100039 Peoples R China.
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Poly-si  Structure  Hot-wire  Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (Pecvd)  Chemical-vapor-deposition  Microcrystalline Silicon  Hydrogen  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng Y;  Zhu M;  Liu F;  Liu J;  Han H;  Han Y;  Zhu M,Chinese Acad Sci,Grad Sch,Dept Phys,POB 3908,Beijing 100039,Peoples R China.
Adobe PDF(101Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：928/288  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Y;  Xiao XR;  Zeng YP;  Liu Y,Chinese Acad Sci,Inst Chem,Ctr Mol Sci,Lab Photochem,Beijing 100083,Peoples R China.
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GaAs基应变自组织In(Al)As量子点材料生长、性质及器件应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
作者:  刘会云
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏红振;  余金中;  张小峰;  刘忠立;  史伟;  房昌水
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘新宇;  孙海峰;  陈焕章;  扈焕章;  海潮和;  刘忠立;  和致经;  吴德馨
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘宝利;  王炳？;  徐仲英
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