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| GaN 基垂直结构 LED 工艺研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2013 作者: 汪炼成 Adobe PDF(11631Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1776/293  |  提交时间:2013/06/20 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 黄亚军; 刘志强; 伊晓燕; 王良臣; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(219Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1826/705  |  提交时间:2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 潘岭峰; 李琪; 刘志强; 王晓峰; 伊晓燕; 王良臣; 王军喜 Adobe PDF(380Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1321/397  |  提交时间:2012/07/17 |
| 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 孙波; 王国宏 Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1508/234  |  提交时间:2012/09/09 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 詹腾; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1468/211  |  提交时间:2012/09/09 |
| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(293Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2058/355  |  提交时间:2012/09/09 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1764/234  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(343Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1675/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏 Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1872/266  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251509.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1591/268  |  提交时间:2011/08/31 |