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| 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郭恩卿; 伊晓燕 ; 汪炼成; 孙波; 王国宏
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 詹腾; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕 ; 王国宏
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| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕 ; 王国宏
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强 ; 汪炼成; 伊晓燕 ; 王莉; 王国宏
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强 ; 伊晓燕 ; 王国宏
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强 ; 汪炼成; 伊晓燕 ; 王莉; 王国宏
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251509.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强 ; 伊晓燕 ; 王国宏
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| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
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| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
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| 自支撑氮化镓衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 孙波; 伊晓燕 ; 刘志强; 汪炼成; 郭恩卿; 王国宏
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