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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [15]
作者
李志聪 [4]
王兵 [1]
梁萌 [1]
文献类型
专利 [10]
期刊论文 [4]
学位论文 [1]
发表日期
2014 [1]
2012 [1]
2011 [3]
语种
中文 [5]
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出处
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专题:中科院半导体照明研发中心
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, Z
;
Kang, JJ
;
Wang, BW
;
Li, HJ
;
Weng, YH
;
Lee, YC
;
Liu, ZQ
;
Yi, XY
;
Feng, ZC
;
Wang, GH
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浏览/下载:680/179
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提交时间:2015/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, ZC
;
Liu, B
;
Zhang, R
;
Zhang, Z
;
Tao, T
;
Xie, ZL
;
Chen, P
;
Jiang, RL
;
Zheng, YD
;
Ji, XL
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浏览/下载:895/239
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提交时间:2013/03/17
高抗静电能力氮化镓基LED外延结构与MOCVD生长工艺研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
李志聪
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浏览/下载:1454/121
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提交时间:2011/06/07
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang B
;
Li ZC
;
Yao R
;
Liang M
;
Yan FW
;
Wang GH
;
Wang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lighting R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. wangbing@semi.ac.cn
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浏览/下载:1554/374
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王兵
;
李志聪
;
姚然
;
梁萌
;
闫发旺
;
王国宏
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浏览/下载:1410/194
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提交时间:2011/08/16
一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
李志聪
;
姚然
;
王兵
;
梁萌
;
李璟
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:2060/302
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提交时间:2012/09/09
一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王兵
;
李志聪
;
王国宏
;
闫发旺
;
姚然
;
王军喜
;
李晋闽
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浏览/下载:1580/259
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提交时间:2011/08/31
一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
李志聪
;
姚然
;
王兵
;
梁萌
;
李鸿渐
;
李盼盼
;
李璟
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:1712/306
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提交时间:2012/09/09
GaN基发光二极管的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:
黄亚军
;
王莉
;
樊中朝
;
刘志强
;
伊晓燕
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浏览/下载:1008/110
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提交时间:2014/12/25
蓝宝石图形衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人:
段瑞飞
;
季安
;
伊晓燕
;
王莉
;
樊中朝
;
郭金霞
;
潘岭峰
;
黄亚军
;
赵冀
;
李镇
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浏览/下载:1036/96
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提交时间:2014/11/17