已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Hu QA; Wei TB; Duan RF; Yang JK; Huo ZQ; Lu TC; Zeng YP; Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. huqiang@semi.ac.cn Adobe PDF(873Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1273/381  |  提交时间:2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 胡强; 魏同波; 段瑞飞; 羊建坤; 霍自强; 卢铁城; 曾一平 Adobe PDF(328Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1178/330  |  提交时间:2011/08/16 |
| 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平 Adobe PDF(338Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1654/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平 Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1779/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102324436A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 张雨溦; 张杨; 曾一平 Adobe PDF(473Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2060/323  |  提交时间:2012/08/29 |