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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Hu QA; Wei TB ; Duan RF ; Yang JK ; Huo ZQ; Lu TC; Zeng YP; Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. huqiang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 胡强; 魏同波 ; 段瑞飞 ; 羊建坤 ; 霍自强 ; 卢铁城; 曾一平
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| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段瑞飞 ; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波 ; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 林郭强; 曾一平; 段瑞飞 ; 魏同波 ; 马平; 王军喜; 刘喆 ; 王晓亮; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 马平; 魏同波 ; 段瑞飞 ; 王军喜; 李晋闽; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 魏同波 ; 王军喜; 李晋闽; 刘酷; 段瑞飞![](/image/person.jpg)
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| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞 ; 马平; 魏同波 ; 林郭强
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| 氮化镓生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 段瑞飞 ; 魏同波 ; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 胡强; 段瑞飞 ; 魏同波 ; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| 在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 胡强; 段瑞飞 ; 魏同波 ; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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