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| 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 | |
| 张扬; 闫发旺; 高海永; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 李晋闽 | |
| 2008-10-29 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2007-04-25 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | CN200710098702.8 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4233 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张扬,闫发旺,高海永,等. 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法[P]. 2008-10-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200710098702.8.pdf（561KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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