| 硅基GeSn MBE外延机理及材料与器件特性研究 | |
万丰硕
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| Subtype | 博士 |
| 2022-06 | |
| Degree Grantor | 中国科学院大学 |
| Place of Conferral | 中国科学院半导体研究所 |
| Language | 中文 |
| Date Available | 2022-06 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31137 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 万丰硕. 硅基GeSn MBE外延机理及材料与器件特性研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2022. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| GK2022142-博士-光电研发-万丰（6958KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | Application Full Text | ||
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