| 硅基GeSn MBE外延机理及材料与器件特性研究 | |
万丰硕
| |
| 学位类型 | 博士 |
| 2022-06 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院大学 |
| 学位授予地点 | 中国科学院半导体研究所 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2022-06 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31137 |
| 专题 | 光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 万丰硕. 硅基GeSn MBE外延机理及材料与器件特性研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2022. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| GK2022142-博士-光电研发-万丰（6958KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [万丰硕]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [万丰硕]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [万丰硕]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论