SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
兼容测距的CMOS图像传感器像素单元及其制作方法
陈哲; 吴南健; 底衫; 曹中祥
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-08-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2014-12-10
申请号CN201410754289.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27257
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
陈哲,吴南健,底衫,等. 兼容测距的CMOS图像传感器像素单元及其制作方法.
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