SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法
杜成孝; 郑海洋; 魏同波; 王军喜; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-06-26
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2013-03-19
申请号CN201310088324.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25835
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
杜成孝,郑海洋,魏同波,等. 植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法.
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