植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法 | |
杜成孝; 郑海洋; 魏同波; 王军喜; 李晋闽 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2013-06-26 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
学科领域 | 半导体器件 |
申请日期 | 2013-03-19 |
申请号 | CN201310088324.0 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25835 |
专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜成孝,郑海洋,魏同波,等. 植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法. |
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植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的(914KB) | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 |
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