| 高压发光二极管芯片及其制造方法 | |
| 郭金霞; 闫建昌; 伊晓燕; 田婷; 詹腾; 赵勇兵; 宋昌斌; 王军喜 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2013-07-03 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 申请日期 | 2013-03-21 |
| 申请号 | CN201310091232.8 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25829 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭金霞,闫建昌,伊晓燕,等. 高压发光二极管芯片及其制造方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 高压发光二极管芯片及其制造方法.pdf（429KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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