SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
低发散角单纵模边发射光子晶体激光器
渠红伟; 张冶金; 张建心; 刘磊; 马绍栋; 石岩; 郑婉华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-08-21
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2013-05-02
申请号CN201310157583.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25628
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
渠红伟,张冶金,张建心,等. 低发散角单纵模边发射光子晶体激光器.
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