SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
一种非对称沟道量子点场效应光子探测器
杨晓红; 聂诚磊; 史章淳; 倪海桥; 韩勤
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2013-10-11
申请号CN201310473487.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25515
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
杨晓红,聂诚磊,史章淳,等. 一种非对称沟道量子点场效应光子探测器.
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一种非对称沟道量子点场效应光子探测器.p(960KB) 限制开放使用许可请求全文
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