| GaN材料及InGaAs/InP量子阱结构材料的GSMBE生长及性能研究 | |
| 王晓亮 | |
| Subtype | 博士后 |
| Thesis Advisor | 孔梅影 |
| 1997 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 材料物理与化学 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Date Available | 2013-12-30 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24464 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王晓亮. GaN材料及InGaAs/InP量子阱结构材料的GSMBE生长及性能研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,1997. |
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