| GaN材料及InGaAs/InP量子阱结构材料的GSMBE生长及性能研究 | |
| 王晓亮 | |
| 学位类型 | 博士后 |
| 导师 | 孔梅影 |
| 1997 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2013-12-30 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24464 |
| 专题 | 半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮. GaN材料及InGaAs/InP量子阱结构材料的GSMBE生长及性能研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,1997. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 王晓亮--博士后.pdf（6256KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [王晓亮]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [王晓亮]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [王晓亮]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论