| 一种制备铌酸锂表面图形的方法; 一种制备铌酸锂表面图形的方法 | |
| 郑婉华; 齐爱谊; 王海玲; 渠红伟 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种制备铌酸锂表面图形的方法,该方法包括：在铌酸锂衬底表面制作掩膜图形；采用氟基等离子对铌酸锂衬底进行干法刻蚀,以刻蚀铌酸锂；采用氧等离子对铌酸锂衬底进行刻蚀,以刻蚀在铌酸锂表面形成的氟化锂；重复上述采用氟基等离子及氧等离子的刻蚀步骤,直至完成铌酸锂表面图形的制备。利用本发明,解决了氟基等离子刻蚀铌酸锂时表面再沉积氟化锂的问题,达到制备大深度、底面光滑铌酸锂表面图形的目的。本方法简单易用,可以用于铌酸锂的刻蚀,获得大深度、底面光滑的铌酸锂表面图形。 |
| metadata_83 | 纳米光电子实验室 |
| Patent Number | CN102304767A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110245639.2 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23449 |
| Collection | 纳米光电子实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郑婉华,齐爱谊,王海玲,等. 一种制备铌酸锂表面图形的方法, 一种制备铌酸锂表面图形的方法. CN102304767A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种制备铌酸锂表面图形的方法.pdf（405KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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