| 一种超高真空多功能综合测试系统; 一种超高真空多功能综合测试系统 |
| 杨晋玲; 刘云飞; 解婧; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
; 2011-08-31
; 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，包括：第一超高真空室；第二超高真空室，该第二超高真空室与第一超高真空室真空密封连接；常压室，该常压室与第二超高真空室真空密封连接；以及一系统支架，该系统支架为一矩形框架；其中，该第一超高真空室、第二超高真空室和常压室固定于该系统支架，形成超高真空测试系统。利用本发明，实现了将微纳器件表面处理、表面修饰、原位机械性能表征和电学性能测试等功能的集成，避免了因处理后的样品表面在传递和测试过程中被再次污染而造成测试结果的严重偏差，为清晰准确地研究表面损失对器件机械及电学性能的影响提供了保证。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 专利号 | CN201010171385.X
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010171385.X
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22365
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
杨晋玲,刘云飞,解婧,等. 一种超高真空多功能综合测试系统, 一种超高真空多功能综合测试系统. CN201010171385.X.
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