| 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 | |
杨晋玲; 解婧 ; 刘云飞; 杨富华
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是在MEMS器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层，然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。由于金属Ti在HF基腐蚀液中的电化学电势低于结构层半导体材料的电化学电势，因而Ti替代半导体材料，与贵金属层构成原电池，并作为原电池正极在HF基腐蚀液中发生氧化反应，从而有效避免了半导体结构层材料被电化学腐蚀，并保证了金属层与其它结构层的牢固结合。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN201010235870.9 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010235870.9 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22357 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杨晋玲,解婧,刘云飞,等. 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法. CN201010235870.9. |
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| CN201010235870.9.pdf（453KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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