| 用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头; 用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头 |
| 胡国新; 王晓亮; 冉军学; 肖红领; 殷海波; 张露; 李晋闽
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专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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公开日期 | 2011-08-31
; 2011-08-31
; 2011-08-31
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明
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摘要 | 一种用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头,包括:封闭型外壳体,该外壳体包括上层板、中层板和下层板,在上层板与中层板之间形成供气体进入的进气腔室,在中层板和下层板之间形成冷却腔室,进气腔室被分隔成彼此隔离的多个扇形区域。对于每一个扇形区域,在中层板与下层板之间固定有多个导热的细管,细管在外壳体的高度方向上延伸过冷却腔室,且细管的开口端与进气腔室连通,细管的出口端朝向邻近的衬底表面;进气腔室的至少两个扇形区域引入彼此不同的反应气体。本发明可以使不同的反应气体通过扇形区域均匀送入反应室。通过控制衬底旋转速度,可以减少预反应,实现高质量的材料外延生长,也可以通过提高衬底转速,实现普通外延生长模式。 |
部门归属 | 半导体材料科学中心
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申请日期 | 2010-01-07
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专利号 | CN201010033960.X
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语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN201010033960.X
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专利代理人 | 王新华
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22309
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专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
胡国新,王晓亮,冉军学,等. 用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头, 用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头. CN201010033960.X.
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