| 制备有序Al纳米颗粒的方法 | |
游经碧 ; 张兴旺; 高云; 董敬敬; 陈诺夫
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明一种制备有序Al纳米颗粒的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一衬底；2)在衬底上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯；3)利用电子束曝光在聚甲基丙烯酸甲酯上制备模板，形成所需图案；4)利用高纯Al靶作为金属Al薄膜沉积的溅射靶，在模板及暴露出的衬底的上面生长Al薄膜；5)腐蚀掉聚甲基丙烯酸甲酯及模板上面的Al薄膜，保留衬底上面的Al薄膜，完成有序Al纳米颗粒的制备。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN200910082081.3 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910082081.3 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22265 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 游经碧,张兴旺,高云,等. 制备有序Al纳米颗粒的方法. CN200910082081.3. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910082081.3.pdf（158KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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