| 制备有序Al纳米颗粒的方法 |
| 游经碧 ; 张兴旺; 高云; 董敬敬; 陈诺夫
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2011-08-31
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 本发明一种制备有序Al纳米颗粒的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一衬底；2)在衬底上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯；3)利用电子束曝光在聚甲基丙烯酸甲酯上制备模板，形成所需图案；4)利用高纯Al靶作为金属Al薄膜沉积的溅射靶，在模板及暴露出的衬底的上面生长Al薄膜；5)腐蚀掉聚甲基丙烯酸甲酯及模板上面的Al薄膜，保留衬底上面的Al薄膜，完成有序Al纳米颗粒的制备。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
|
| 专利号 | CN200910082081.3
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN200910082081.3
|
| 专利代理人 | 汤保平
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22265
|
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
游经碧,张兴旺,高云,等. 制备有序Al纳米颗粒的方法. CN200910082081.3.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论