| 制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法; 制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法 |
| 王佐才; 金鹏; 王占国
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
; 2011-08-31
; 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法，包括如下步骤：步骤1：在具有功能区的基片上涂覆一层光刻胶；步骤2：采用普通光学套刻的方法，将各功能区间的光刻胶去除；步骤3：腐蚀或刻蚀去除光刻胶处的上金属电极、绝缘层和欧姆接触层，形成隔离带；步骤4：将基片上的光刻胶去除；步骤5：在隔离带处对基片进行离子注入；步骤6：退火，完成电学隔离。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN200910243745.X
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910243745.X
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22233
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王佐才,金鹏,王占国. 制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法, 制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法. CN200910243745.X.
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