| 提高半导体激光器温度稳定性的腔面镀膜方法 |
| 徐鹏飞; 杨涛
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种提高半导体激光器温度稳定性的腔面镀膜方法，包括如下步骤：步骤1：取一条解理后的半导体激光器芯片；步骤2：通过在所述半导体激光器芯片的后端面上交替沉积光学厚度为λ/4的高低折射率材料，在波长-反射率曲线上得到随波长红移反射率增加的薄膜系统，其中，λ为膜系的中心波长；步骤3：调整所述半导体激光器的腔面反射膜系的中心波长与所述半导体激光器的激射波长，使工作温度范围内激射波长落在反射率-波长曲线上升带宽内，由于半导体激光器的激射波长随温度升高发生红移，使得所述半导体激光器的反射率随温度上升而增大，导致腔面损耗随温度升高而降低，从而改进半导体激光器的温度特性。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN201010191207.3
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010191207.3
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22199
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
徐鹏飞,杨涛. 提高半导体激光器温度稳定性的腔面镀膜方法. CN201010191207.3.
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